與非網 10 月 12 日訊,NAND Flash 價格持續走低,三大 NAND 生產廠商 Intel、美光以及 SK 海力士開始減緩生產速度,其發展情況到哪一步了?對中國來說又有何機遇?

 

 

有消息稱,三星西安二期工廠已安裝部分設備并開始試運行,預計將在 2020 年 2 月開始批量生產,另外西安二期工廠的建設也基本完成。2020 年 5G 手機將掀起一波換機需求,而中國是重要的市場,同時對大容量 NAND Flash 需求也會增加,在貿易緊張的關系下,三星加大在中國新工廠的投資,將可更好的滿足中國市場需求。

 

SK 海力士在清州興建的 M15 工廠已經開始投產,M16 工廠也被提上日程,計劃 2022 年完工,用上最先進的 EUV 光刻工藝。技術方面,6 月 26 日,SK 海力士宣布已成功開發世界上第一款“128 層 1Tb 的 4D NAND 閃存”,即將投入量產。

 

美光自去年開始擴建新加坡的 Fab 10 工廠,旨在進行新的 3D NAND 工藝節點轉換,并且保持和現在一樣的晶圓產量,今年 8 月,美光新加坡 Fab 10A 新工廠完成。美光的第四代 3D NAND 芯片完成首批流片,新一代產品基于美光全新研發的替代柵極架構,將于明年開始小范圍量產。

 

改名后的東芝近日宣布與西數共同投資的日本巖手縣 K1 工廠將于 2020 年上半年開始生產。據了解,K1 工廠將生產 3D 閃存,以支持數據中心、智能手機和自動駕駛汽車等應用不斷增長的存儲需求。東芝還打算在四日市投資興建 Fab 7 工廠,計劃 2022 年投入生產,屆時東芝將會有 8 座工廠投入運營。

 

英特爾作為最早做儲存器的企業之一,已經連續多年是是全球半導體銷售額的首位, 如今時隔 34 年后它宣布要重返存儲器市場。上個月,英特爾介紹了其在 3D NAND 閃存上的最新動態。

 

在 NAND Flash 市場中,三星、東芝、鎂光、SK 海力士、西部數據、英特爾這六家企業長期壟斷著全球 99%以上的份額。東芝高管也曾表示,中國內存能在三年內趕上不容易。

 

后來者長江存儲,其實早在 2018 年,就已經量產了 32 層 3D NAND 閃存芯片。

 

然而在 2018 年,各家的 64 層、72 層 3D NAND 閃存已經是主打產品,早已全面鋪貨,落后一代的差距使得當時長江存儲并沒有引起業界關注。

 

不過,今年 9 月長江存儲宣布開始量產基于 Xtacking 架構的 64 層 256GB 3D NAND 閃存 ,中國距離國際水平又近了一步。